内存特征和建模

SiliconSmart MR自动并加速了特征和建模过程，改善了嵌入式内存模块的精度。

当前，超过百分之九十的SoC设计都包含了多个嵌入式的内存。这些内存的特征、建模和验证过程不仅耗时而且容易出错，SiliconSmart MR使得这些过程能够自动执行。通过SiliconSmart MR进行自动化的环境设置、度量定义以及激励创建，用户能够创建各种类型内存的特征和建模。SiliconSmart MR能够轻松地整合到现有的环境中，通过快速地生成高品质、可用于生产的Synopsys®Liberty™模型，增强了设计和特征环境。

主要特点：

• 消耗全部内存网表
• 获取时序和功率
• 自动设置和激励生成
• 自定义的特征方法
• 基于内部节点度量获取的约束条件
• 基于架构的分布式处理
• 数据从属关系管理
• 自动的回转相移和多PVT
• 完整的模型生成Complete model generation

• 规则结构的嵌入式内存
• 同步的和异步的
• 单口、双口和多口随机存取内存( RAMs)
• 单口、双口和多口 只读存储器(ROMs)
• 单口、双口和多口寄存器文件

• Synopsys®Liberty™(.lib)

• 时钟周期时间，低/高最小脉宽
• 芯片允许设置/保持时间
• 地址和数据设置/保持时间
• 写允许设置/保持时间
• 时钟到数据输出延迟(存取时间)
• 输出三态运行/禁止
• BIST允许设置/保持时间
• BIST三态允许/禁止
• 异步写通( AWT)(组合的)
• 与状态相关的开关、隐藏和泄漏功率

• Nassda™ HSIM™
• Synopsys NanoSim™
• StarSim-XT™
• Star-HSpice®

• Solaris™
• Linux®