利用SiliconSmart ，实现简单和复杂I/O单元的特征和建模

与设计、确认、建模以及管理电子界面(I/O)等相关联的问题迫使很多设计师利用不合适的模块来描述他们的I/O单元。两个最常见的问题是模型无法准确地解决他们的操作环境和I/O设计，从而无法达到他们的印刷规范。一般来讲，这些问题都是在设计周期的晚期被发现，继而又迫使设计师重新设计他们的电路，以匹配电路性能。最终，I/O的模型生成变成了决定系统性能和产品交付时间的瓶颈。

高质量的模型是准确的、有效的、无误差的，以及最重要的是能够表述一个满足电气规范标准的单元。有I/O 选项的SiliconSmart成为当之无愧的解决方案－能够生成准确模型的工具，没有任何误差。在设计师的时间预算内，SiliconSmart能够有效地生成高品质的模型。 简言之，SiliconSmart以相似的方式帮助开发工程师和设计师达到了共同的目标－更快、更好的硅片。

• 可编程的 Tcl 的用户界面
• 支持多队列管理工具：
• Platform Computing提供的LSF
• Sun Microsystems提供的GridEngine
• 自动的特征规划
• 自动的激励和负载配置
• 优化的取样点分布
• 与状态和路径相关的时序和功率度量
• 申请专利的数据获取和缩减算法
• 在无约束的CPUs上执行的分布式处理
• 基于架构的从属关系管理
• 支持先进的电流源模型(ECSM 、CCS)
• 支持低功耗模型

• 输入、输出和双向缓冲器
• 位准移动和电压转换单元
• 任意复杂的函数的特征

• Liberty™ (.lib)
• Verilog®
• Vital
• ECSM
• CCS
• IBIS
• Model Data API

* 具备I/O选项

• 与状态相关的固有延迟和输出转换时间
• 有效的输入引脚电容
• 最小的脉宽
• 设置、保持、恢复以及删除
• 约束边缘控制，实现独立的设置和保持
• 约束冲突决策
• 功能性失效
• 绝对的、相对的和用户定义的延迟下降
• 与状态相关的开关、泄漏、内部的(包括隐藏的)和整体功率
• 电流源模型(ECSM和CCS)
• 驱动器的电压 / 电流波形
• 基于表单的接收器输入引脚电容
• 自定义的度量方法
• 驱动强度和输出状态电压
• 挂起时间和唤醒时间
• 箝位 电压
• 磁滞现象、微分偏移以及参考公差
• 自定义的度量方法

• HSPICE®
• SmartSpice®
• Spectre®
• Eldo™
• MSIM®
• 定制集成

• Solaris™
• Linux®